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原子層沉積技術-ALD
- 2022-04-14-

原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition)是一種原子尺度的薄膜制備技術??梢猿练e均勻一致,厚度可控、成分可調的超薄薄膜。隨著納米技術和半導體微電子技術的發展,器件和材料的尺寸要求不斷地降低,同時器件結構中的寬深比不斷增加,要求所使用材料的厚度降低至十幾納米到幾個納米數量級。原子層沉積技術逐漸成為了相關制造領域不可替代的技術。其優勢決定了具有巨大的發展潛力和更加廣闊的應用空間。

1.脈沖一種前驅體暴露于基片表面,同時在基片表面對一種前驅體進行化學吸附

2.惰性載氣吹走剩余的沒有反應的前驅體

3.脈沖第二種前驅體在表面進行化學反應,得到需要的薄膜材料

4.惰性載氣吹走剩余的前驅體與反應副產物

使用者可通過設定循環次數或時間,實現原子級尺度厚度可控的薄膜沉積

技術優勢:

相對于傳統的沉積工藝,ALD技術具有以下明顯的優勢:

? 前驅體是飽和化學吸附,不需要控制反應物流量的均一性
? 沉積參數的高度可控,可實現生成大面積均勻性的薄膜
? 通過控制反應周期數,可簡單精確地以原子層厚度精度,控制薄膜沉積的厚度
? 可廣泛適用于各種形狀的基底
? 優異的臺階覆蓋性,可生成極好的三維保形性化學計量薄膜,
? 優異的均勻性和一致性,可生成密集無針孔狀的薄膜
? 可沉積寬深比達2000:1的結構,對納米孔材料進行沉積
? 可容易進行摻雜和界面修正
? 可以沉積多組份納米薄膜和混合氧化物
? 薄膜生長可在低溫(室溫到400℃)下進行
? 固有的沉積均勻性和小的源尺寸,易于縮放,可直接按比例放大
? 對環境要求包括灰塵不敏感
? 使用與維護成本低


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